video
M.2 PCIE NVME SSD 256GB 512GB 1T 2T
2280 NVME 1TB
2280 NVME PCIE 1TB
HG2263+V7
NVME 1T
2280 PCIE NVME 1TB
BULK USB PACKAGE
1/2
<< /span>
>

UUS M.2 PCIE NVME SSD 256GB 512GB 1T 2T HG2283 pluss HYNIX V7

M.2 2280 S2 NVME SSD HG2283 plus Hynix V7 1. TOOTE SPETSIFIKATSIOONID Maht – 128 GB, 256 GB, 512 GB, 1024 GB, 2048 GB - Toetage 32-biti adresseerimise režiimi Elektriline/füüsiline liides - PCIe - Ühildub NVMe 1.3-ga - PCIe Express Base Ver 3.1 - PCIe Gen 3 x 4 rada ja tagasiühilduv...

                                               M.{0}} S2 NVME SSD HG2283 pluss Hynix V7

 

1. TOOTE SPETSIFIKATSIOONID

 

Mahutavus

- 128 GB, 256 GB, 512 GB, 1024 GB, 2048 GB

− Toetage 32-biti aadressirežiimi

Elektriline/füüsiline liides

− PCIe liides

− Vastab NVMe 1.3-le

− PCIe Express Base Ver 3.1

- PCIe Gen 3 x 4 rada ja tagasiühilduv PCIe Gen 2 ja Gen 1

− Toetus kuni QD 128 järjekorra sügavusega kuni 64K

− Toetage toitehaldust

Toetatud NAND Flash

− Toetage kuni 16 välkkiibi lubamist (CE) ühes kujunduses

- Toetage kuni 4 tk BGA132 välklampi

− Toetage 8-bitise I/O NAND Flashi

− Toggle2.0, Toggle3.0, ONFI 2.3, ONFI 3.0, ONFI 3.2 ja ONFI 4.0 liides

Samsung V6 3D NAND

Hynix V7 3D NAND

ECC skeem

− HG2283 PCIe SSD rakendab ECC-algoritmi LDPC-d.

Sektori suuruse tugi

   − 512B

– 4KB

UART/GPIO

Toetage SMART- ja TRIM-käske

LBA vahemik

− IDEMA standard

 

 

Esitus                 

 

HG2283 pluss Hynix V7 jõudlus (1200 Mbps)

Mahutavus

Välgu struktuur (BGA pakett)

CE#

Välgu tüüp

Järjestikune (CDM)

IOmeter

Lugemine (MB/s)

Kirjutamine (MB/s)

Loe (IOPS)

Kirjutamine (IOPS)

128 GB

DDP x 1

2

BGA132, Hynix V7

1650

1100

195K

260K

256 GB

DDP x 2

4

BGA132, Hynix V7

3100

1850

360K

450K

512 GB

QDP x 2

8

BGA132, Hynix V7

3100

2090

360K

475K

1024 GB

QDP x 4

16

BGA132, Hynix V7

3100

2200

360K

480K

2048 GB

ODP x 4

16

BGA132, Hynix V7

3100

2200

360K

480K

MÄRKUSED:

1. Jõudlus põhines Hynix V7 TLC NAND välklambil.

 

ENERGIATARVE

Mahutavus

Flashi konfiguratsioon (BGA pakett)

 

Energiatarve3

 

Lugemine (mW)

Kirjutamine (mW)

PS3 (mW)

PS4 (mW)

128 GB

DDP x 1

2940

2530

50

5

256 GB

DDP x 2

4120

3400

50

5

512 GB

QDP x 2

4090

3390

50

5

1024 GB

QDP x 4

4050

3380

50

5

2048 GB

ODP x 4

4440

3810

50

5

MÄRKUSED:

1. Andmed on mõõdetud Hynix V7 512Gb mono die TLC Flashi põhjal.

2. Energiatarbimist mõõdetakse IOMeteri järjestikuste lugemis- ja kirjutamistoimingute käigus.

 

Flashi haldamine

1.4.1. Veaparanduskood (ECC)

Välkmälu elemendid halvenevad kasutamisel, mis võib tekitada salvestatud andmetes juhuslikke bitivigu. Seega rakendab HG2283 PCIe SSD ECC algoritmi LDPC (Low Density Parity Check), mis suudab tuvastada ja parandada lugemisprotsessi käigus tekkivaid vigu, tagada andmete õige lugemise ning kaitsta andmeid korruptsiooni eest.

 

1.4.2. Kulumise tasandamine

NAND-välkmäluseadmed saavad läbida vaid piiratud arvu programmeerimis-/kustutustsükleid, kui välkmeediat ei kasutata ühtlaselt, mõnda plokki värskendatakse sagedamini kui teisi ja seadme eluiga väheneks oluliselt. Seega rakendatakse NAND-välklambi eluea pikendamiseks kulumise tasandamist, jaotades kirjutus- ja kustutamistsüklid kandja vahel ühtlaselt.

 

HosinGlobal pakub täiustatud kulumise tasandamise algoritmi, mis suudab tõhusalt jaotada välklambi kasutust kogu välkmeedia piirkonnas. Pealegi, rakendades nii dünaamilise kui ka staatilise kulumise tasandamise algoritme, paraneb NAND-välklambi eluiga oluliselt.

 

1.4.3. Halb plokkide haldamine

Halvad plokid on plokid, mis ei tööta korralikult või sisaldavad rohkem kehtetuid bitte, mis muudavad salvestatud andmed ebastabiilseks ja nende töökindlus ei ole garanteeritud. Tootja poolt tuvastatud ja halvaks märgitud plokke nimetatakse "varajaseteks halbadeks plokkideks". Välklambi eluea jooksul välja töötatud halvad plokid kannavad nime "Later Bad Blocks". HosinGlobal rakendab tõhusat vigaste plokkide haldusalgoritmi, et tuvastada tehases toodetud halvad plokid ja hallata kasutamisel ilmnevaid halbu plokke. See tava takistab andmete salvestamist halbadesse plokkidesse ja parandab veelgi andmete usaldusväärsust.

 

1.4.4. TRIM

TRIM on funktsioon, mis aitab parandada pooljuhtketaste (SSD) lugemis-/kirjutusjõudlust ja kiirust. Erinevalt kõvaketastest (HDD) ei ole SSD-d võimelised olemasolevaid andmeid üle kirjutama, seega väheneb saadaolev ruum iga kasutuskorraga järk-järgult. Käsuga TRIM saab operatsioonisüsteem SSD-d teavitada, et enam kasutusel olevad andmeplokid saaks jäädavalt eemaldada. Seega teostab SSD kustutamistoimingu, mis takistab kasutamata andmetel kogu aeg plokke hõivamast.

 

1.4.5. NUTIKAS

SMART, enesekontrolli-, analüüsi- ja aruandlustehnoloogia akronüüm, on avatud standard, mis võimaldab pooljuhtdraivil automaatselt oma seisundit tuvastada ja võimalikest riketest teada anda. Kui SMART registreerib tõrke, saavad kasutajad draivi välja vahetada, et vältida ootamatut katkestust või andmete kadumist. Lisaks saab SMART teavitada kasutajaid eelseisvatest tõrgetest, kui on veel aega ennetavate toimingute tegemiseks, näiteks andmete salvestamiseks teise seadmesse.

 

1.4.6. Ülepakkumine

Ülevarustamine viitab täiendava ala säilitamisele, mis ületab kasutaja võimsust SSD-s, mis pole kasutajatele nähtav ja mida nad ei saa kasutada. Siiski võimaldab see SSD-kontrolleril kasutada parema jõudluse ja WAF-i jaoks lisaruumi. Ülevarustamisega parandatakse jõudlust ja IOPS-i (sisend/väljundtoimingud sekundis), pakkudes kontrollerile lisaruumi P/E-tsüklite haldamiseks, mis suurendab ka töökindlust ja vastupidavust. Lisaks muutub SSD kirjutusvõimendus madalamaks, kui

kontroller kirjutab andmed välklambile.

 

1.4.7. Püsivara uuendamine

Püsivara võib pidada juhiste komplektiks selle kohta, kuidas seade hostiga suhtleb. Püsivara saab uuendada, kui lisatakse uusi funktsioone, lahendatakse ühilduvusprobleemid või paraneb lugemise/kirjutamise jõudlus.

 

1.4.8. Termiline drossel

Termilise drosseli eesmärk on vältida SSD mis tahes komponentide ülekuumenemist lugemis- ja kirjutamistoimingute ajal. HG2283 on konstrueeritud termosensoriga ja selle täpsusega; Püsivara saab rakendada erineva tasemega drosselit, et saavutada kaitse eesmärk tõhusalt ja ennetavalt SMART-lugemise kaudu.

 

1.5. Seadme täiustatud turvafunktsioonid

1.5.1. Turvaline kustutamine

Turvaline kustutamine on standardne NVMe vormingu käsk ja see kirjutab kõik "0x00", et kustutada täielikult kõik kõvaketaste ja SSD-de andmed. Kui see käsk antakse, kustutab SSD-kontroller oma salvestusplokid ja naaseb tehase vaikeseadetele.

 

1.5.2. Krüpto kustutamine

Krüpto kustutamine on funktsioon, mis kustutab kõik OPAL-aktiveeritud SSD- või SED-draivi andmed (Security-Enabled Disk), lähtestades ketta krüptovõtme. Kuna võtit muudetakse, muutuvad varem krüpteeritud andmed kasutuks, saavutades andmeturbe eesmärgi.

 

1.5.3. Füüsilise kohaloleku SID (PSID)

Physical Presence SID (PSID) on TCG OPAL defineeritud 32-märgistringina ja selle eesmärk on taastada SSD tootmisseaded, kui draiv on veel OPAL-i aktiveeritud. PSID-koodi saab printida SSD-sildile, kui OPAL-iga aktiveeritud SSD toetab PSID-i taastamise funktsiooni.

 

1.6. SSD eluaegne haldus

1.6.1. Kirjutatud terabaite (TBW)

TBW (Terabytes Written) on SSD-de eeldatava eluea mõõt, mis näitab andmemahtu

seadmesse kirjutatud. SSD TBW arvutamiseks kasutatakse järgmist võrrandit:

TBW = [(NAND vastupidavus) x (SSD mahutavus)] / [WAF]

NAND vastupidavus: NAND-vastupidavus viitab NAND-välgu P/E (Programm./Kustuta) tsüklile.

SSD mahutavus: SSD maht on SSD kogumaht.

WAF: Write Amplification Factor (Write Amplification Factor – WAF) on arvväärtus, mis näitab suhet SSD-kontrolleri kirjutamiseks vajaliku andmemahu ja hosti välkmälukontrolleri poolt kirjutatava andmemahu vahel. Parem WAF, mis on 1 lähedal, tagab parema vastupidavuse ja välkmällu kirjutatavate andmete väiksema sageduse.

 

TBW selles dokumendis põhineb JEDEC 218/219 töökoormusel.

 

1.6.2. Meediumi kulumise indikaator

SMART Attribute byte index [5] esitatud tegelik eluea indikaator, kasutatud protsent, soovitab kasutajal 100 protsendini jõudmisel draiv välja vahetada.

 

1.6.3. Kirjutuskaitstud režiim (elu lõpp)

Kui draiv on vananenud kumuleeritud programmi-/kustutustsüklite tõttu, võib kandja kulumine põhjustada hilisemate vigaste plokkide suurenemist. Kui kasutatavate heade plokkide arv jääb väljapoole määratletud kasutatavat vahemikku, teavitab draiv hosti AER-i sündmuse ja kriitilise hoiatuse kaudu, et lülituda kirjutuskaitstud režiimi, et vältida andmete edasist kahjustamist. Kasutaja peaks kohe alustama draivi asendamist teisega.

 

1.7. Adaptiivne lähenemine jõudluse häälestamisele

1.7.1. Läbilaskevõime

Vastavalt ketta vabale ruumile reguleerib HG2283 lugemis-/kirjutuskiirust ja haldab läbilaskevõimet. Kui ruumi on veel palju, teostab püsivara pidevalt lugemis-/kirjutustoiminguid. Mälu eraldamiseks ja vabastamiseks pole endiselt vaja rakendada prügikoristust, mis kiirendab lugemise/kirjutamise töötlust jõudluse parandamiseks. Vastupidiselt sellele, kui ruum hakkab otsa saama, aeglustab HG2283 lugemise/kirjutamise töötlemist ja rakendab mälu vabastamiseks prügi kogumise. Seetõttu muutub lugemise/kirjutamise jõudlus aeglasemaks.

1.7.2. Ennustamine ja toomine

Tavaliselt, kui host proovib PCIe SSD-lt andmeid lugeda, sooritab PCIe SSD pärast ühe käsu saamist ainult ühe lugemistoimingu. HG2283 rakendab aga lugemiskiiruse parandamiseks funktsiooni Predict & Fetch. Kui host annab PCIe SSD-le järjestikused lugemiskäsud, eeldab PCIe SSD automaatselt, et ka järgmised lugemiskäsud. Seega on flash enne järgmise käsu saamist andmed juba ette valmistanud. Seega kiirendab see andmetöötluse aega ja host ei pea andmete vastuvõtmist nii kaua ootama.

1.7.3. SLC vahemälu

HG2283 püsivara disain kasutab praegu dünaamilist vahemällu, et pakkuda paremat jõudlust, et tagada parem vastupidavus ja tarbijate kasutuskogemus.

 

3. KESKKONNASPETSIFIKATSIOONID

 

3.1. Keskkonnatingimused 3.1.1. Temperatuur ja niiskus

 

Tabel 3-1 Kõrge temperatuur

 

Temperatuur

Niiskus

Operatsioon

70 kraadi

0 protsenti suhteline õhuniiskus

Säilitamine

85 kraadi

0 protsenti suhteline õhuniiskus

 

Tabel 3-2 Madal temperatuur

 

Temperatuur

Niiskus

Operatsioon

0 kraadi

0 protsenti suhteline õhuniiskus

Säilitamine

-40 kraadi

0 protsenti suhteline õhuniiskus

 

Tabel 3-3 Kõrge õhuniiskus

 

Temperatuur

Niiskus

Operatsioon

40 kraadi

90 protsenti suhteline niiskus

Säilitamine

40 kraadi

RH 93 protsenti

 

Tabel 3-4 Temperatuuri tsükkel

 

Temperatuur

Operatsioon

0 kraadi

70 kraadi1

Säilitamine

-40 kraadi

85 kraadi

 

Märkused:

1. Töötemperatuuri mõõdetakse korpuse temperatuuriga, mille saab otsustada SMART Airflow kaudu, ja see võimaldab suure töökoormuse ajal seadet kasutada iga komponendi jaoks sobival temperatuuril.

 

3.1.2. Šokk

Tabel 3-5 Šokk

 

Kiirendusjõud

Mittetoimiv

1500G

 

3.1.3. Vibratsioon

Tabel 3-6 Vibratsioon

 

Kond

tsioon

Sagedus/nihe

Sagedus/kiirendus

Mittetoimiv

20Hz ~ 80Hz/1,52mm

80Hz ~ 2000Hz/20G

 

3.1.4. Langetage

Tabel 3-7 Kukkumine

 

 

Languse kõrgus

 

 

Tilkade arv

Mittetoimiv

 

80cm vabalangemine

 

 

6 iga üksuse nägu

 

3.1.5. Painutamine

Tabel 3-8 Painutamine

 

 

 

 

Jõud

 

 

Tegevus

Mittetoimiv

 

Suurem või võrdne 20N

 

 

Hoia 1min/5 korda

 

3.1.6. Pöördemoment

Tabel 3-9 Pöördemoment

 

 

 

 

Jõud

 

 

Tegevus

Mittetoimiv

 

0,5N-m või ±2,5 kraadi

 

 

Hoia 1min/5 korda

 

3.1.7. Elektrostaatiline lahendus (ESD)

Tabel 3-10 ESD

 

 

Spetsifikatsioon

 

 

pluss /- 4KV

 

EN 55024, CISPR 24 EN 61000-4-2 ja IEC 61000-4-2

Seadme funktsioonid on mõjutatud, kuid EUT naaseb automaatselt tavalisse või tööolekusse.

 

4. ELEKTRISPETSIFIKATSIOONID

 

4.1. Toitepinge

Tabel 4-1 Toitepinge

Parameeter

Hinnang

Tööpinge

Min=3,14 V Max=3.47 V

Tõusuaeg (maksim./min)

10 ms / 0,1 ms

Sügisaeg (max/min)

1500 ms / 1 ms

Min. Väljasaeg1

1500 ms

MÄRGE:

1. Minimaalne aeg SSD-lt toite eemaldamise (Vcc < 100 mV) ja draivi toite taasühendamise vahel.

 

4.2. Energiatarve

Tabel 4-2 Energiatarve mW

Mahutavus

Flashi konfiguratsioon

CE#

Loe (max)

Kirjutage (max)

Lugege

(Kesk.)

Kirjutage (keskm.)

128 GB

DDP x 1

2

3200

2930

2940

2530

256 GB

DDP x 2

4

4650

4560

4120

3400

512 GB

QDP x 2

8

5260

4190

4090

3390

1024 GB

QDP x 4

16

5350

6070

4050

3380

2048 GB

ODP x 4

16

6320

6650

4440

3810

MÄRKUSED:

Põhineb APF1Mxxx seerial ümbritseva õhu temperatuuril.

Energiatarbimise keskmine väärtus saavutatakse 100-protsendilise muundamise efektiivsuse alusel.

Mõõdetud toitepinge on 3,3V.

Salvestusseadme temperatuur PS1-s peaks jääma konstantseks või peaks veidi langema kogu töökoormuse korral, nii et PS1 tegelik võimsus peaks olema väiksem kui PS0.

Salvestusseadme temperatuur PS2-s peaks kõigi töökoormuste korral järsult langema, nii et PS2 tegelik võimsus peaks olema väiksem kui PS1.

 

 

5. LIIDES

 

5.1. Pin määramine ja kirjeldused

Tabelis {{0}} on määratletud sisemise NGFF-pistiku signaali määramine SSD kasutamiseks, mida on kirjeldatud PCI-SIG-i PCI Express M.2 spetsifikatsiooni versioonis 1.0.

 

Tabel 5-1 HG2283 M tihvtide määramine ja kirjeldus.{2}}

Pin nr.

PCIe Pin

Kirjeldus

1

GND

CONFIG_3=GND

2

3.3V

3,3 V allikas

3

GND

Maapind

4

3.3V

3,3 V allikas

5

PETn3

PCIe TX diferentsiaalsignaal, mis on määratletud PCI Express M.2 spetsifikatsiooniga

6

N/C

Ühendust pole

7

PETp3

PCIe TX diferentsiaalsignaal, mis on määratletud PCI Express M.2 spetsifikatsiooniga

8

N/C

Ühendust pole

9

GND

Maapind

10

LED1#

Avatud äravool, aktiivne madal signaal. Neid signaale kasutatakse selleks, et võimaldada lisakaardil pakkuda olekunäitajaid LED-seadmete kaudu, mida süsteem pakub.

11

PERn3

PCIe RX diferentsiaalsignaal, mis on määratletud PCI Express M.2 spetsifikatsiooniga

12

3.3V

3,3 V allikas

13

PERp3

PCIe RX diferentsiaalsignaal, mis on määratletud PCI Express M.2 spetsifikatsiooniga

14

3.3V

3,3 V allikas

15

GND

Maapind

16

3.3V

3,3 V allikas

17

PETn2

PCIe TX diferentsiaalsignaal, mis on määratletud PCI Express M.2 spetsifikatsiooniga

18

3.3V

3,3 V allikas

19

PETp2

PCIe TX diferentsiaalsignaal, mis on määratletud PCI Express M.2 spetsifikatsiooniga

20

N/C

Ühendust pole

21

GND

Maapind

22

N/C

Ühendust pole

23

PERn2

PCIe RX diferentsiaalsignaal, mis on määratletud PCI Express M.2 spetsifikatsiooniga

24

N/C

Ühendust pole

25

PERp2

PCIe RX diferentsiaalsignaal, mis on määratletud PCI Express M.2 spetsifikatsiooniga

26

N/C

Ühendust pole

27

GND

Maapind

28

N/C

Ühendust pole

29

PETn1

PCIe TX diferentsiaalsignaal, mis on määratletud PCI Express M.2 spetsifikatsiooniga

30

N/C

Ühendust pole

31

PETp1

PCIe TX diferentsiaalsignaal, mis on määratletud PCI Express M.2 spetsifikatsiooniga

32

GND

Maapind

33

GND

Maapind

34

N/C

Ühendust pole

35

PERn1

PCIe RX diferentsiaalsignaal, mis on määratletud PCI Express M.2 spetsifikatsiooniga

36

N/C

Ühendust pole

37

PERp1

PCIe RX diferentsiaalsignaal, mis on määratletud PCI Express M.2 spetsifikatsiooniga

 

 

Pin nr.

PCIe Pin

Kirjeldus

38 N/C

Ühendust pole

39 GND

Maapind

40 SMB_CLK (I/O) (0/1,8 V)

SMBus Kell; Avage platvormil ülestõstetav äravool

41

PETn0

PCIe TX diferentsiaalsignaal, mis on määratletud PCI Express M.2 spetsifikatsiooniga

42

SMB{{0}}ANDMED (I/O) (0/1,8 V)

SMBus andmed; Avage platvormil ülestõstetav äravool.

43

PETp0

PCIe TX diferentsiaalsignaal, mis on määratletud PCI Express M.2 spetsifikatsiooniga

44

ALERT#(O) (0/1,8V)

Hoiatusteade kaptenile; Avage platvormil ülestõstetav äravool; Aktiivne madal.

45

GND

Maapind

46

N/C

Ühendust pole

47

PERn0

PCIe RX diferentsiaalsignaal, mis on määratletud PCI Express M.2 spetsifikatsiooniga

48

N/C

Ühendust pole

49

PERp0

PCIe RX diferentsiaalsignaal, mis on määratletud PCI Express M.2 spetsifikatsiooniga

50

PERST#(I) (0/3,3 V)

PE-Reset on PCIe Mini CEM spetsifikatsioonis määratletud kaardi funktsionaalne lähtestamine.

51

GND

Maapind

52

CLKREQ# (I/O) (0/3,3 V)

Clock Request on PCIe Mini CEM spetsifikatsioonis määratletud kella päringu referentssignaal; Kasutavad ka L1 PM alamosariigid.

53

REFCLKn

PCIe Reference Clock signaalid (100 MHz), mis on määratletud PCI Express M.2 spetsifikatsiooniga.

54

PEWAKE#(I/O) (0/3,3 V)

PCIe PME äratus.

Avage äravool platvormi ülestõmbamisega; Aktiivne madal.

55

REFCLKp

PCIe Reference Clock signaalid (100 MHz), mis on määratletud PCI Express M.2 spetsifikatsiooniga.

56

Reserveeritud MFG DATA jaoks

Tootmisandmete rida. Kasutatakse ainult SSD tootmiseks.

Tavatöös ei kasutata.

Tihvtid tuleks jätta N/C platvormi pesasse.

57

GND

Maapind

58

Reserveeritud MFG CLOCK jaoks

Manufacturing Clock liin. Kasutatakse ainult SSD tootmiseks.

Tavatöös ei kasutata.

Tihvtid tuleks jätta N/C platvormi pesasse.

59

Mooduli võti M

Mooduli võti

60

Mooduli võti M

61

Mooduli võti M

62

Mooduli võti M

63

Mooduli võti M

64

Mooduli võti M

65

Mooduli võti M

66

Mooduli võti M

67

N/C

Ühendust pole

68

SUSCLK (32KHz)

(I)(0/3.3V)

32,768 kHz kella toitesisend, mida pakub platvormi kiibistik, et vähendada mooduli võimsust ja kulusid.

69

NC

CONFIG_1=Ühendust pole

70

3.3V

3,3 V allikas

71

GND

Maapind

72

3.3V

3,3 V allikas

73

GND

Maapind

74

3.3V

3,3 V allikas

75

GND

CONFIG_2=Maandus

 

7. FÜÜSILINE MÕÕDE

Vormitegur: M.{0}} S2

Mõõdud: 80.00mm (P) x 22.00mm (L) x 2,15 mm (K)

 

Vaata suund

Diagramm

Üles

product-226-319product-266-169

 

Altpoolt

product-477-537

 

Vaata suund

Diagramm

Külg

      

product-215-578

 

product-759-182

Joonis 7-1 Toote mehaaniline skeem ja mõõtmed

 

8. MÄRKUSED TAOTLUSE KOHTA

8.1. Wafer Level Chip Scale Packaging (WLCSP) käsitsemise ettevaatusabinõud

Ühele SSD-seadmele on kokku pandud palju komponente. Käsitsege draivi ettevaatlikult, eriti kui sellel on WLCSP (Wafer Level Chip Scale Packaging) komponente, nagu PMIC, termoandur või koormuslüliti. WLCSP on üks pakendamistehnoloogiatest, mida kasutatakse laialdaselt väiksemate jalajälgede tegemiseks, kuid kõik konarused või kriimustused võivad neid üliväikesi osi kahjustada, mistõttu on tungivalt soovitatav neid õrnalt käsitseda.

 

product-37-32ÄRGE KÜLKAKE SSD-d

product-37-32PAIGALDAGE SSD ETTEVAATLIKULT

product-37-32KÄBRIKS SSD KORRAS PAKENDIS

 

8.2. M Klahv M.2 SSD kokkupaneku ettevaatusabinõud

M Key M.2 SSD (joonis 1) ühildub ainult M Key (joonis 2) pesaga. Nagu on näidatud kasutusjuhtumis 2, võib väärkasutus põhjustada SSD-le tõsiseid kahjustusi, sealhulgas läbipõlemist.

 

 

Joonis 8-1 M Klahv M.2 Montaaži ettevaatusabinõud

 

product-1007-439

 

 

Kuum tags: UUS M.2 PCIE NVME SSD 256GB 512GB 1T 2T HG2283 pluss HYNIX V7, Hiina UUS M.2 PCIE NVME SSD 256GB 512GB 1T 2T HG2283 pluss HYNIX V7

Küsi pakkumist

(0/10)

clearall